1比64路光分路器箱

1比64路光分路器箱对Ge材料，其人=1.60um,适用于长波长光电二极管:对Si材料，_-1.06um, 可用 于短波光电二极管。 不过Ge管与si管比较，暗电流较大，因此附加噪声也较大，所以，长波长光电二极管多采用三元或四元半导体化合物作材料，如InGiaAs和InGaAsP等。利用光电效应可以制造出简单的P-N结光电二极管。但是，这种光电二极管在P-N结中，由于有内建电场的作用，响应速度快。而在耗尽层以外产生的光电子和光空穴，由于没有内建电场的加速作用，运动速度慢，因而响应速度低，且容易被复合，使光电转换效率低。法解小品但调制顿率提高后，输出光功率可能下降，这样 

 1比64路光分路器箱产品属性

 1比64路光分路器箱技术指标

为了提高光电检测器的转换效率和响应速度，希望耗尽区加宽。为此，在制造时，在P 型、N型材料之间，加一层轻掺杂的N型材料或不掺杂的本征材料，称为1 (Intrinsic, 本征 的)层，如图3-14 (a)所示。由于是轻掺杂，因此电子浓度很低，经护散作用后可形成一一个很宽的耗尽区。同时，为了降低P-N结两端的接触电阻，以便与外电路连接，将P区和N区 做成重掺杂的P*层和N层。将这种结构的光电极管称为 PIN光电二极管， 如图3-14 (b)所示，其光电转换效率和响应速度大大提高了。制造这种晶体管的本征材料是Si或InGaAs.

 1比64路光分路器箱技术要求

当光照射到PIN光电=极管的光敏面上时，会在整个耗尽区及其附近产生受激吸收现象，从而产生光电子-光空穴对。其中在耗尽区内产生的光电子-光空穴对，在外加负偏压和内建电场的作用下，加速运动，当外电路闭合，就有电流流过。响应速度快，转换效率高。而在耗尽区外产生的光电子光空穴对，因掺杂很重，很快被复合掉，其作用可以忽略不计。(2)具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带 系统。(3)具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响。(4) 具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真。具有较小的体职、较长的工作寿金等。

 1比64路光分路器箱注意事项

在长途光纤通信系统中，仅有毫瓦数量级的光功率从光发射机输出，经过几十千米光纤的传输衰减，到达光接收机处的光信号将变得十分微弱。如果采用PIN光电二极管，则输出的光电流仅几个纳安。为了使数字光接收机的判决电路正工作，需要采用放大器。放大器将引入噪声，从而使光接收机的信噪比降低，光接收机的灵敏度降低.如果能使电信号进入放大器之前，先在光电极管内部进行放大，这就引出了另一种类 型的光电二极管，即雪崩光电二极管， 又称APD (Avalanche Pholo Diode). 它不但具有光电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。

 1比64路光分路器箱施工标准

在长途光纤通信系统中，仅有毫瓦数量级的光功率从光发射机输出，经过几十千米光纤的传输衰减，到达光接收机处的光信号将变得十分微弱。如果采用PIN光电二极管，则输出的光电流仅几个纳安。为了使数字光接收机的判决电路正工作，需要采用放大器。放大器将引入噪声，从而使光接收机的信噪比降低，光接收机的灵敏度降低.如果能使电信号进入放大器之前，先在光电极管内部进行放大，这就引出了另一种类 型的光电二极管，即雪崩光电二极管， 又称APD (Avalanche Pholo Diode). 它不但具有光电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。

 1比64路光分路器箱性能指标

由图可见，它仍然是一个P-N结的结构形式，只不过P型材料由3部分构成，即重掺杂的P层、轻掺杂的1层和普通掺杂的P层。光子从P层射入，进入1层后，在这里，材料吸收了光能并产生了初级电子-空穴对。这时光电子在1层被耗尽层的较弱电场加速，移向P-N结。当光电子运动到高场区时，受到强电场的加速作用，出现雪前碰撞效应。较后，获得雪崩倍增后的光电子到达N层，空穴被P*层吸收。P'层之所以做成高掺杂，是为了减小接触电阻以利于与电极相连。目前的光纤通信系统中，常用的雪崩光电极管结构型式，有保护环型和拉通型、 前者是在制作时淀积一层环形N型材料，以防止在高反压时使P.N结边缘产生雪朋击穿。

 1比64路光分路器箱原理

由图3-17 (c)还可以看出，它的耗尽层从结区直拉通到 I层与P'层相接的范围内。 在整个范围内，电场增加较小。 这样，这种拉通型APD (RAPD)器件就将电场分为两部 分，一 部分是使光生载流子逐渐加速的较低电场，另部分 是产生雪崩倍增效应的高电场区，这种电场分布有利于降低工作电压。这是一种全耗尽型结构，具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。雪蒯光电二极管根据使用的材料不同分为几种: Si-APD (工作在短波长区)、GC-APD 和InGaAS-APD (工作在长波长区)等。温度特性温度特性主要膨响LED的平均发送光功率、PI特性的线性及工作波长.当温度上升时，LED的平均发送光功率会下降:线性工作区变窄，使得光发送电路噪声增加，系统性能下降:峰值工作波长向长波长方向漂移，附加损耗加大.但由于LED是无闻值器件，其 温度特性比LD的要好得多，一般不需 加温度控制电路。